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电子敏感CMOS芯片
- 发布时间:2020-07-06
- 信息来源:平台运行管理办公室
需求编号:3006101011 提交纸质方案截止时间:2020年8月31日
中关村第四届新兴领域专题赛需求表
(技术问题难题类)
单位名称 | 专项赛组委会 | |
需求方所在领域 | 智能制造 | |
技术需求情况说明 | 需求 题目 | 电子敏感CMOS芯片 |
需求 简述 | 在新型数字微光器件技术研究中,针对高真空、强电场的使用环境,急需解决具有电子敏感特性、超高真空兼容以及耐电场特性的CMOS芯片技术,为新型数字微光器件的研制提供专用的电子敏感CMOS芯片。 | |
功能 要求 | 电子敏感CMOS芯片可实现低能入射电子的倍增、采集及信号数字化输出功能。 | |
主要 指标 | 电子倍增系数:≧100(@1000V); 像素数:≧1600×1200; 输出格式:12bit; 帧频:≧60fps; 像素尺寸:≧9μm×9μm; 功耗:≦500mW。 | |
其他 要求 | 无 | |
实测 要求 | 由参赛方提供样品及测试电路,电子倍增系数在需求方进行现场测试; 其他指标由参赛方提供测试证明资料。 | |
产学研合作需求 | 现有 基础 情况 | 无 |
合作 意向 | 1、列入优质供应商库 2、达到指标要求前三名可进入采购必选流程 3、定制研发(市场上无标准化产品,但参赛方已有接近技术,可根据需求方场景定制研发生产) 4、联合研发 | |
对优秀解决方案 悬赏奖励 | 否 | |
比选方式 | 文字解决方案+产品实测 | |
备注 | 1、专题赛详细信息可登录专题赛官网(http://www.zgccmichallenges.cn)或搜索微信公众号“中关村新兴领域专题赛”查询。 2、需求可登陆专题赛官网(http://www.zgccmichallenges.cn)或搜索微信公众号“中关村新兴领域专题赛”下载。 3、需求细节沟通咨询和专家辅导点评请关注微信公众号“中关村新兴领域专题赛”,分别在“需求发布”和“提交方案”栏按提示操作。 |