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电子敏感CMOS芯片

发布时间:2020-07-06
信息来源:平台运行管理办公室

需求编号:3006101011    提交纸质方案截止时间:2020年8月31日

中关村第四届新兴领域专题赛需求表

(技术问题难题类)

单位名称

专项赛组委会

需求方所在领域

智能制造

技术需求情况说明

需求

题目

电子敏感CMOS芯片

需求

简述

在新型数字微光器件技术研究中,针对高真空、强电场的使用环境,急需解决具有电子敏感特性、超高真空兼容以及耐电场特性的CMOS芯片技术,为新型数字微光器件的研制提供专用的电子敏感CMOS芯片。

功能

要求

电子敏感CMOS芯片可实现低能入射电子的倍增、采集及信号数字化输出功能。

主要

指标

电子倍增系数:≧100(@1000V);

像素数:≧1600×1200;

输出格式:12bit;

帧频:≧60fps;

像素尺寸:≧9μm×9μm;

功耗:≦500mW。

其他 要求

实测

要求

由参赛方提供样品及测试电路,电子倍增系数在需求方进行现场测试;

其他指标由参赛方提供测试证明资料。

产学研合作需求

现有

基础 情况

合作

意向

1、列入优质供应商库

2、达到指标要求前三名可进入采购必选流程

3、定制研发(市场上无标准化产品,但参赛方已有接近技术,可根据需求方场景定制研发生产)

4、联合研发

对优秀解决方案

悬赏奖励

比选方式

文字解决方案+产品实测

备注

1、专题赛详细信息可登录专题赛官网(http://www.zgccmichallenges.cn)或搜索微信公众号“中关村新兴领域专题赛”查询。

2、需求可登陆专题赛官网(http://www.zgccmichallenges.cn)或搜索微信公众号“中关村新兴领域专题赛”下载。

3、需求细节沟通咨询和专家辅导点评请关注微信公众号“中关村新兴领域专题赛”,分别在“需求发布”和“提交方案”栏按提示操作。