10A、1200V 碳化硅场效应晶体管
2024-11-07 17:22:30
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过载能力强;瞬态功率大;开关速度快;工作频率高;低电容;低导通电阻应用领域 :
电子通信价格 :
/个先进程度 :
国内先进有 效 期 :
2027-10-25联系人 :
迟鸿燕联系电话 :
15985199420技术参数 :
1、源极-源极电压：1200V；
2、最大栅极-源极电压：-5V/+20V；
3、漏极直流电流：10A（TC=25℃）；
4、漏极脉冲电流：40A；
5、总耗散功率：35W（TC=25℃）；
6、结到壳热阻：4.28℃/W；
7、贮存温度/工作结温：-55℃～175℃；
8、封装形式：SMD-0.5金属-陶瓷封装。
功能描述 :
碳化硅场效应晶体管是电子电路中应用广泛的器件之一，具有过载能力强、瞬态功率大、开关速度快、工作频率高、低电容、低导通电阻等特点和优势。适用于航空、航天、电子等领域，可以用于开关、放大、DC/DC电路、DC/AC电路、浪涌抑制、电机驱动等。
京公网安备 11010802032523号