发布时间：2023-04-16 09:44:37

发布单位：中国核动力研究设计院

规格型号/牌号：直径8英寸及以下尺寸单晶硅锭或片

关键字： 单晶硅; 中子辐照嬗变掺杂;

应用领域：无机非金属材料;

先进程度：国内领先

技术成熟度：八级

自主可控：是

知识产权类型：专有技术

知识产权：

技术来源：自主研发

标准建设：

技术参数：可满足直径8英寸及以下尺寸单晶硅锭或片的中子辐照嬗变掺杂。

功能描述：在研究堆内对单晶硅锭或片进行中子辐照嬗变掺杂（NTD），会形成高均匀性、高精度掺磷杂质的N型单晶硅，该产品是制造半导体大功率器件、功率集成器件以及半导体集成电路等的关键基础材料，其在绿色能源、轨道交通、电网和集成电路产业等领域具有重要应用价值。

供货周期：60天

年最大供货量：30吨

是否面议：是

价格：元/

典型应用履历：单晶硅原材料通过中子辐照嬗变掺杂后形成的N型单晶硅，应用于半导体器件。

其他说明：中子辐照嬗变掺杂技术不仅是单晶硅进行杂质掺杂的重要手段，还能实现Ge、GaAs、GaN、SiC等其它半导体材料的相应杂质掺杂。